%0 Journal Article
%T 亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的能带结构
%A 徐至中
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x在(100)面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算了亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的直接能隙与组分x间的变化关系.并把计算结果与实验及以前的理论模型进行了比较与讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8F2D68F62016C2423C6BC2B707D89877&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=35E8A259891FB32F&eid=3E3EF0DB5E6F2DA9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0