化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构

本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函数和经验赝势哈密顿.与Cohen等的精确结果相比较,发现:对AlSb,调整指数衰减常数,可以得到符合较好的导带、价带、带宽和带隙;对ZnSc和CdTe,则得到符合较好的价带和正确的能带图象,但导带的能量误差稍大些.