%0 Journal Article
%T 化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构
%A 郭志权
%A 范钦梁
%A 黄和鸾
%A 邢金海
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函数和经验赝势哈密顿.与Cohen等的精确结果相比较,发现:对AlSb,调整指数衰减常数,可以得到符合较好的导带、价带、带宽和带隙;对ZnSc和CdTe,则得到符合较好的价带和正确的能带图象,但导带的能量误差稍大些.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=798EB5732948A81B&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=21A4BC96BDC43D33&eid=2A22E972FD97071B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0