a-Si:H的低温电导及其Staebler-Wronski效应的研究

本文报道了对光照后不掺杂辉光放电a-Si:H中跳跃电导变化情况的研究结果,首次发现,经长时间强光照射后,虽然a-Si :H的高温扩展态电导明显减小,但其低温跳跃电导却几乎不变,并在此实验结果的基础上对S-W效应的产生机制进行了讨论.