%0 Journal Article
%T a-Si:H的低温电导及其Staebler-Wronski效应的研究
%A 周江淮
%A 孔光临
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报道了对光照后不掺杂辉光放电a-Si:H中跳跃电导变化情况的研究结果,首次发现,经长时间强光照射后,虽然a-Si :H的高温扩展态电导明显减小,但其低温跳跃电导却几乎不变,并在此实验结果的基础上对S-W效应的产生机制进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7D7982C76DEE157607FB0D11DF3C53C2&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=4AD4BA66429F5627&eid=90612DF06FCE4D55&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0