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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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Study of Positron Annihilation Characteristics in SI-n-GaAs
SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

Keywords: GaAs,Positron annihilation technique,Long lifetime component,Mean li-fetime,Bulk lfetime vacancy type defects,Muulti-Ga-vacancy
GaAs
,正电子湮没技术,长寿命分量,平均寿命,基块寿命,空位类型缺陷,多镓空位

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Abstract:

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.

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