Fabrication of Submicron Gate Length Modulation Doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs Field Effect Transistors
亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造

本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10~(15)cm~(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.