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半导体学报 1983
一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式Abstract: 我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10%、△R_p的差异一般小于15%.
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