%0 Journal Article
%T 一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式
%A 李金华
%A 张永恩
%A 夏日源
%A 陈鄂生
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10％、△R_p的差异一般小于15％.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=80A402E831449C8C802219C91610307E&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=DCE57F652E4ADAFC&eid=DA4893B5F9885621&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0