Si:Pd深能级的Xα-SW研究

本文用Xα-SW法计算模拟间隙位和替代位Si:Pd的集团PdSi_(10)H_(16)和PdSi_4H_(12)的电子结构,结果表明:(1)最近阮圣央等人在实验上发现的Si:Pd的两个施主型新能级不可能简单地归因于Si晶格中的间隙位Pd,它们还与其它缺陷的存在有关;(2)Si晶格中替代位的Pd 将使体系发生Jahn-Teller 畸变,畸变可能类似于空位受主中心所经历的Td→D_(2d)→C_(2v)型畸变,这与Woodbury 等人根据EPR实验所提出的Si:Pd~-受主中心的几何模型相一致.