%0 Journal Article
%T Si:Pd深能级的Xα-SW研究
%A 唐九耀
%A 唐景昌
%A 黄绮
%A 冯克安
%A 吴汲安
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文用Xα-SW法计算模拟间隙位和替代位Si:Pd的集团PdSi_(10)H_(16)和PdSi_4H_(12)的电子结构,结果表明:(1)最近阮圣央等人在实验上发现的Si:Pd的两个施主型新能级不可能简单地归因于Si晶格中的间隙位Pd,它们还与其它缺陷的存在有关;(2)Si晶格中替代位的Pd 将使体系发生Jahn-Teller 畸变,畸变可能类似于空位受主中心所经历的Td→D_(2d)→C_(2v)型畸变,这与Woodbury 等人根据EPR实验所提出的Si:Pd~-受主中心的几何模型相一致.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F6E5E48EABF85BFA135AB1BD8442F080&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D71B28100102720&eid=80A07035DF96B0C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0