硅悬键表面态的晶向关系——光电子发射研究

利用Hel光电子发射,在以110]为轴的Si圆柱面上研究了悬键表面态与晶向的关系.实验发现:在高指数晶面上,来自表面态的光电子发射有不同程度的增强,而谱峰的FWHM反而减小.其解释是,除了悬挂键的数目增加外,台阶Si原子的sp~3杂化轨道上的电荷重新分布,使其更加局域在悬键的方向上.这与最近表面电偶极子的研究结果文献7]定性一致.