%0 Journal Article
%T 硅悬键表面态的晶向关系——光电子发射研究
%A 邢益荣
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 利用Hel光电子发射,在以110]为轴的Si圆柱面上研究了悬键表面态与晶向的关系.实验发现:在高指数晶面上,来自表面态的光电子发射有不同程度的增强,而谱峰的FWHM反而减小.其解释是,除了悬挂键的数目增加外,台阶Si原子的sp~3杂化轨道上的电荷重新分布,使其更加局域在悬键的方向上.这与最近表面电偶极子的研究结果文献7]定性一致.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D5753C33F358F66613884D4BF938B1BD&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1D0FA33DA02ABACD&eid=5C3443B19473A746&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0