Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化

<正> 半导体清洁表面存在各种形式的再构.在解释这些再构时,会提出许多不同的表面原子排列模型.为了判断哪一种模型是正确的,除了测量低能电子衍射的Ⅰ-Ⅴ曲线及光电子能谱来同理论计算相比较外,从表面吸附氢以后原子结构和光电子能谱的变化,也可对模型的正确性提供一些旁证.因而在半导体表面的研究中,氢在表面的吸附是一个很基本的课题.