%0 Journal Article
%T Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化
%A 陈炳来
%A 庄承群
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> 半导体清洁表面存在各种形式的再构.在解释这些再构时,会提出许多不同的表面原子排列模型.为了判断哪一种模型是正确的,除了测量低能电子衍射的Ⅰ-Ⅴ曲线及光电子能谱来同理论计算相比较外,从表面吸附氢以后原子结构和光电子能谱的变化,也可对模型的正确性提供一些旁证.因而在半导体表面的研究中,氢在表面的吸附是一个很基本的课题.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8EDDFB3B9CD1135EB99FEA1190552255&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=1E9426A299DC9FFD&eid=DA74B62FE4348759&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0