InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_0的贡献

本文从理论上分析了InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_o的贡献,指出k·P微扰能带不适于描述俄歇复合中的(ⅰ)高能载流子和(ⅱ)低能空穴,赝势能带不适于描述Γ点附近的电子.因而提出改进的能带结构,并用它得出带-带间直接俄歇复合过程可以对T_o有主要贡献,其中不排除CHSH过程的存在,但造成T_o小的主要过程是CHCC的明确结论.同时说明采用k·p微扰能带时,由于上述(ⅰ)和(ⅱ)的后果相反而互相抵消,如能带参数取值正确,也可得出大致正确的结论.