%0 Journal Article
%T InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_0的贡献
%A 郭长志
%A 刘要武
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文从理论上分析了InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_o的贡献,指出k·P微扰能带不适于描述俄歇复合中的(ⅰ)高能载流子和(ⅱ)低能空穴,赝势能带不适于描述Γ点附近的电子.因而提出改进的能带结构,并用它得出带-带间直接俄歇复合过程可以对T_o有主要贡献,其中不排除CHSH过程的存在,但造成T_o小的主要过程是CHCC的明确结论.同时说明采用k·p微扰能带时,由于上述(ⅰ)和(ⅱ)的后果相反而互相抵消,如能带参数取值正确,也可得出大致正确的结论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DB358293E070368&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E2546871E5B846EF&eid=D5C9DC4EF2F78008&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0