用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面

MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中.