%0 Journal Article
%T 用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面
%A 史常忻
%A 顾为芳
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F26F98443BE4159963B255681D7FF435&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=663FF78B2ADE7A2D&eid=3BAAE0DA6093AC05&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0