1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器

研制了1.52μm InGaAsP/InP双有源区复合腔结构的动态单纵模激光器,采用了双沟道平面掩埋异质结构来达到横向电流限制,制成的激光器20℃下阈值电流25—50mA,最高激射温度为80℃,线性输出功率>10mW,单面微分量子效率>20％,用565M bits/s、2~7-1位伪随机码调制,偏置电流由I_(th)～3I_(th)均能保持稳定的单纵模输出,其中谱线半宽为0.7±0.01A,纵模抑制比可达25dB(300:1)以上.