%0 Journal Article %T 1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器 %A 李洵 %A 简水生 %A 赵嵩山 %A 周宁 %J 半导体学报 %D 1987 %I %X 研制了1.52μm InGaAsP/InP双有源区复合腔结构的动态单纵模激光器,采用了双沟道平面掩埋异质结构来达到横向电流限制,制成的激光器20℃下阈值电流25—50mA,最高激射温度为80℃,线性输出功率>10mW,单面微分量子效率>20%,用565M bits/s、2~7-1位伪随机码调制,偏置电流由I_(th)~3I_(th)均能保持稳定的单纵模输出,其中谱线半宽为0.7±0.01A,纵模抑制比可达25dB(300:1)以上. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=370BE05B109D5DED65333E87CFEA651C&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=CEFF71AEB051114C&eid=4AB4178709047BE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0