非晶态硅的带隙态密度

本文提出了一个带悬键和饱和键的Bethe格子模型,计算了非晶态硅的带隙态密度,证明了Spear实验的带隙态Ex峰是由悬键产生的,E_y峰是由饱和键产生的.还得出了:当饱和原子改变时,Ex峰保持不变,Ey峰位置随饱和原子与Si原子键的能量差而变化,能量差越小,Ey峰与Ex峰的间距越大,峰的强度也随之改变.