%0 Journal Article
%T 非晶态硅的带隙态密度
%A 夏建白
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文提出了一个带悬键和饱和键的Bethe格子模型,计算了非晶态硅的带隙态密度,证明了Spear实验的带隙态Ex峰是由悬键产生的,E_y峰是由饱和键产生的.还得出了:当饱和原子改变时,Ex峰保持不变,Ey峰位置随饱和原子与Si原子键的能量差而变化,能量差越小,Ey峰与Ex峰的间距越大,峰的强度也随之改变.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D53FD3852D8862523E933EC22508989C&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F204392B3B11C3BD&eid=20C3B205768D55E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0