高速ECL256字×1位随机存储器

高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.