%0 Journal Article
%T 高速ECL256字×1位随机存储器
%A 张敏
%A 陈业新
%A 杨华丽
%A 罗杏珍
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94EF72D6FC110AB0EDB5A08FF12DE8E0&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=318E4CC20AED4940&eid=0401E2DB1F51F8DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0