原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察

本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型漩涡缺陷是一种沉淀物.实验表明这种沉淀物的结构是板片状α-方英石(SiO_2).在原生CZ硅中还观察到一种尺寸小于100埃的高密度(约10~(13)-10~(14)/厘米~3)Ⅲ型缺陷.