%0 Journal Article
%T 原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察
%A 钱家骏
%A 褚一鸣
%A 范缇文
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型漩涡缺陷是一种沉淀物.实验表明这种沉淀物的结构是板片状α-方英石(SiO_2).在原生CZ硅中还观察到一种尺寸小于100埃的高密度(约10~(13)-10~(14)/厘米~3)Ⅲ型缺陷.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=132075926E413413&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=E158A972A605785F&sid=869B6F3117981EC4&eid=F4BDB5452F9F5642&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0