多晶硅中碳化物及其来源的研究

本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.