%0 Journal Article
%T 多晶硅中碳化物及其来源的研究
%A 万群
%A 李玉珍
%A 徐宝琨
%A 赵慕愚
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5432074839D06EF2&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=E158A972A605785F&sid=5DCBAAB000A70168&eid=4C2B9916B58305BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0