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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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衬底正偏的MOSFET的近似模型

Keywords: MOSFET,MOS器件

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Abstract:

本文针对衬底正偏的MOSFET的解析模型进行了讨论.在已有MOSFET理论基础上,仅引入一个参数ξ,便得到了全偏压范围的MOSFET的解析表达式的通式.当ξ=1时,该表达式与已知的衬底负偏的MOSFET的表达式相同;当ξ=0.8时,可得到衬底正偏的MOSFET的近似解析式.实验结果验证了该模型的正确性.

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