%0 Journal Article
%T 衬底正偏的MOSFET的近似模型
%A 陈萍
%A 李志坚
%A 刘理天
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达式与已知的衬底负偏的ＭＯＳＦＥＴ的表达式相同；当ξ＝０．８时，可得到衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的近似解析式．实验结果验证了该模型的正确性．
%K MOSFET
%K MOS器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F361D5B2FB97B40&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=5D311CA918CA9A03&sid=6837BC93241057EF&eid=821800203AD09E7B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2