低压硅外延生长的热力学研究

本文对SiCl_4氢还原的复杂化学反应体系的平衡状态作了计算.给出体系在低压(P=0.1大气压、P=0.01大气压)和常压(P=1大气压),温度T从900K至1500K,及不同初始成分条件下的平衡成分图、产率图、外延生长控制参数的阈值图,并提出了有关改进低压硅外延工艺的参考性意见.