%0 Journal Article
%T 低压硅外延生长的热力学研究
%A 徐宝琨
%A 赵慕愚
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文对SiCl_4氢还原的复杂化学反应体系的平衡状态作了计算.给出体系在低压(P=0.1大气压、P=0.01大气压)和常压(P=1大气压),温度T从900K至1500K,及不同初始成分条件下的平衡成分图、产率图、外延生长控制参数的阈值图,并提出了有关改进低压硅外延工艺的参考性意见.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=241CD29232FAEA991CBB2F500F8C9629&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=5957D6E0A50D26B5&eid=406BF8ED3BCE1927&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0