Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)及Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结界面的电子能带结构

以半经验的紧束缚方法,采用非线性修正的虚晶近似,计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的体电子能带结构以及 Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结的界面电子能带结构.