用静态升华法制备CdSe单晶及其性质的观测

本文报道了用改进了的Pirper-Polich方法制备大尺寸优质CdSe单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的电学参数、禁带宽度.这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,有利于得到大尺寸、低位错密度的单晶体,是一种很有前途的方法.