%0 Journal Article
%T 用静态升华法制备CdSe单晶及其性质的观测
%A 孔宏志
%A 石伟东
%A 王德昌
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文报道了用改进了的Pirper-Polich方法制备大尺寸优质CdSe单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的电学参数、禁带宽度.这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,有利于得到大尺寸、低位错密度的单晶体,是一种很有前途的方法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4B608F6EACE02174&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B9704B40A4225A24&eid=E44E40A2398D4F2A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0