紫外灵敏的表面型硅光电探测器

本文从理论上分析了利用SiO_2/Si 界面电荷造成Si表面耗尽和反型的性质,制成紫外光响应灵敏的表面型硅光电探测器的可行性,并在实验上加以证实.利用这种方法研制成功的光电探测器具有如下特性:7,000A 附近的响应灵敏度为 0.57A/W、3,300至 10,300A 范围内的相对响应大于20％、暗电流为0.35nA、反向击穿电压为140V以及响应时间为10~(-7)s.