%0 Journal Article
%T 紫外灵敏的表面型硅光电探测器
%A 张苑岳
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文从理论上分析了利用SiO_2/Si 界面电荷造成Si表面耗尽和反型的性质,制成紫外光响应灵敏的表面型硅光电探测器的可行性,并在实验上加以证实.利用这种方法研制成功的光电探测器具有如下特性:7,000A 附近的响应灵敏度为 0.57A/W、3,300至 10,300A 范围内的相对响应大于20％、暗电流为0.35nA、反向击穿电压为140V以及响应时间为10~(-7)s.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=32697AF8EEDD0A0A&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C36EC077A8A90308&eid=10F298ED9F164662&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0