MBE GaAs/AlAs多量子阱结构的光致发光谱

用国产 MBE设备生长的不掺杂 GaAs/AlAs多量子阱(MQW)结构,在 4.2 K光荧光谱中观测到一条特殊的光谱线——I线.其半高宽为 6.5—9meV,发光较强,位于体 GaAs的带间跃迁与自由电子到C受主跃迁之间.其峰值能量随激发强度的增加移向高能端,并与激发强度的对数呈线性关系.其光强随温度的升高而减小,约在 15 K消失.