%0 Journal Article
%T MBE GaAs/AlAs多量子阱结构的光致发光谱
%A 庄蔚华
%A 滕达
%A 徐仲英
%A 许继宗
%A 陈宗圭
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用国产 MBE设备生长的不掺杂 GaAs/AlAs多量子阱(MQW)结构,在 4.2 K光荧光谱中观测到一条特殊的光谱线——I线.其半高宽为 6.5—9meV,发光较强,位于体 GaAs的带间跃迁与自由电子到C受主跃迁之间.其峰值能量随激发强度的增加移向高能端,并与激发强度的对数呈线性关系.其光强随温度的升高而减小,约在 15 K消失.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F59471D9353A76E9&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=869807E2D7BED9EC&eid=39EEF47180459690&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0