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ISSN: 2333-9721
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GaAs-AlGaAs异质结界面及开关现象的研究

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Abstract:

在GaAs-AlGaAs DH异质结上观察到了开关记忆现象,其高阻态表现为正常的 p-n二极管的伏安特性,其低阻态表现为线性的欧姆特性,在两个状态具有记忆功能.我们提出了由于在界面处存在有界面态因而引起上述效应的模型:在反偏下由于界面的碰撞电离造成向低阻态的翻转,在正偏下由于电子重新填充界面态而达到高阻态的恢复.在单层生长的p-n异质结进行了DLTS测量,小电流正向I-V特性测量以及反向击穿电压等测量,实验结果支持了上述模型.由于上述开关记忆效应是在GaAs衬底上作成的,它又具有光电子学的特点(低阻态不发光,高阻态可伴随有光信息输出),因而可望有可能利用来设计具有新的功能的光电子器件.

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