%0 Journal Article
%T GaAs-AlGaAs异质结界面及开关现象的研究
%A 林世鸣
%A 王启明
%A 杜宝勋
%A 石忠诚
%A 高季林
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 在GaAs-AlGaAs DH异质结上观察到了开关记忆现象,其高阻态表现为正常的 p-n二极管的伏安特性,其低阻态表现为线性的欧姆特性,在两个状态具有记忆功能.我们提出了由于在界面处存在有界面态因而引起上述效应的模型:在反偏下由于界面的碰撞电离造成向低阻态的翻转,在正偏下由于电子重新填充界面态而达到高阻态的恢复.在单层生长的p-n异质结进行了DLTS测量,小电流正向I-V特性测量以及反向击穿电压等测量,实验结果支持了上述模型.由于上述开关记忆效应是在GaAs衬底上作成的,它又具有光电子学的特点(低阻态不发光,高阻态可伴随有光信息输出),因而可望有可能利用来设计具有新的功能的光电子器件.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=096F924C979235260C32EF81D0C566EA&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=A58CF3BAE79427D0&eid=7EBE588F611589FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0