用于霍尔器件的LPE-GaAs材料

<正> 由于GaAs材料有较高的电子迁移率和宽的禁带,因此用它制成霍尔器件有非常好的温度特性,如霍尔电压温度系数小和使用温度范围宽(-273-280℃)等.我们用改进后的工艺,生长出LEP-GaAs材料,并已制成性能良好的霍尔器件,该器件已用在数字高斯计上.