%0 Journal Article
%T 用于霍尔器件的LPE-GaAs材料
%A 丁墨元
%A 施益和
%A 傅涛
%A 王岩
%A 李双喜
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 由于GaAs材料有较高的电子迁移率和宽的禁带,因此用它制成霍尔器件有非常好的温度特性,如霍尔电压温度系数小和使用温度范围宽(-273-280℃)等.我们用改进后的工艺,生长出LEP-GaAs材料,并已制成性能良好的霍尔器件,该器件已用在数字高斯计上.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F8F8B346387993300DA6309DD30C0491&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=43608FD2E15CD61B&eid=BBF7D98F9BEDEC74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0