砷化镓掺硫气相外延

<正> 为了重复可靠地获得研制肖特基混频器的优质外延材料(n～1-3×10~(17)/cm~3;d～1μm),对 Ga-AsCl_3(S_2Cl_2)H_2系统中硫的掺杂规律作了研究,获得一些有用数据.从而较好地控制了外延层的电学性质及表面形貌.