%0 Journal Article %T 砷化镓掺硫气相外延 %A 吴赛娟 %A 仇兰华 %A 陆大成 %A 于清 %A 王瑞林 %J 半导体学报 %D 1982 %I %X <正> 为了重复可靠地获得研制肖特基混频器的优质外延材料(n~1-3×10~(17)/cm~3;d~1μm),对 Ga-AsCl_3(S_2Cl_2)H_2系统中硫的掺杂规律作了研究,获得一些有用数据.从而较好地控制了外延层的电学性质及表面形貌. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0E3064DDEBB0EFDC1D7A9A0A4C0B74FB&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7CE3F1F20DE6B307&eid=4C100B7696CE9E24&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0