氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究

本文报道氢化的无定形GaAs(a-GaAs:H)的光吸收边谱的详细测量结果.样品是在Ar和H_2的混合气体中用射频溅射方法淀积在石英衬底上的.研究了真空热退火对光吸收的影响.在大约300℃的退火温度之上,在低能区观察到一个光吸收尾,它向上延伸到～1.2eV,与指数吸收区重叠,向下延伸到0.6eV的能量范围.我们认为它与价带边的缺陷态和能隙中的缺陷态之间的光跃迁有关.