%0 Journal Article
%T 氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究
%A 汪兆平
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文报道氢化的无定形GaAs(a-GaAs:H)的光吸收边谱的详细测量结果.样品是在Ar和H_2的混合气体中用射频溅射方法淀积在石英衬底上的.研究了真空热退火对光吸收的影响.在大约300℃的退火温度之上,在低能区观察到一个光吸收尾,它向上延伸到～1.2eV,与指数吸收区重叠,向下延伸到0.6eV的能量范围.我们认为它与价带边的缺陷态和能隙中的缺陷态之间的光跃迁有关.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=01E8CCE44177EF5C&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=6C62BFE34266FA92&eid=4A8412AEEC89236B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0