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半导体学报 1987
用闭管化学气相输运方法制备Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜Abstract: 应用闭管化学气相输运方法在CdSe衬底(0001)和(0001)面上制备了Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜.膜表面光滑平坦,其二次电子形貌线扫描平直均匀.腐蚀坑密度为10~5/cm~2量级,与衬底基本一致.光学显微镜下观察表明膜厚均匀,结线平直.X光省射劳厄衍射斑点表明,小温差下生长出的外延膜具有纤维锌矿结构,较大温差下生长出的外延膜具有闪锌矿结构.用电解液电反射谱法测量了外延膜的组分x值,结果表明,通过改变生长条件可以得到0.1
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