%0 Journal Article
%T 用闭管化学气相输运方法制备Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜
%A 孔宏志
%A 石伟东
%A 王德昌
%A 王宝琨
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 应用闭管化学气相输运方法在CdSe衬底(0001)和(0001)面上制备了Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜.膜表面光滑平坦,其二次电子形貌线扫描平直均匀.腐蚀坑密度为10~5/cm~2量级,与衬底基本一致.光学显微镜下观察表明膜厚均匀,结线平直.X光省射劳厄衍射斑点表明,小温差下生长出的外延膜具有纤维锌矿结构,较大温差下生长出的外延膜具有闪锌矿结构.用电解液电反射谱法测量了外延膜的组分x值,结果表明,通过改变生长条件可以得到0.1
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=85F0E388DAE6AE6A97DCF777EB4DE4C4&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=323E8A365B085E0B&eid=92DA076AF6760FAC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0